エスティーマイクロエレクトロニクス（STMicroelectronics）

AIデータセンターの電力消費が急増する中、発電・配電・蓄電の各段階でより効率的なパワー半導体が必要に。従来のシリコンベースでは限界があり、SiC/GaN材料への移行が加速。

InnnoscienceとGaN技術の共同開発契約を締結し、AIデータセンター・自動車・産業用パワーシステムの次世代電力アプリケーションを開発。SiCパワー半導体でデータセンターの効率的なエネルギー生成・配分・蓄電を支援。

AIインフラの隠れたボトルネックは電力効率であり、パワー半導体企業にとってはAI時代の大きな成長機会。材料技術の多様化（SiC/GaN両方への投資）がリスク分散に有効。